Resumo |
Os dicalcogenetos de metais de transição formam uma classe de materiais bidimensionais, que nos últimos anos tem sido amplamente estudados devido às potenciais aplicações em optoeletrônica e spintrônica. Isso se deve a presença de um gap de energia comparável ao do silício nesses materiais, bem como uma grande interação spin-órbita, permitindo-se pensar em diversas aplicações tecnológicas. Em particular, na monocamada de diferentes dicalcogenetos de metais de transição, o gap de energia é direto, atribuindo importantes propriedades ópticas a este material. Devido a baixa espessura, de poucos ângstrons, estes materiais trazem a perspectiva de aplicações na produção de dispositivos integrados de poucos nanômetros, que permitem o aumento da capacidade de processamento e armazenamento de dados. Com intuito de estudar estes materiais, no presente trabalho, amostras de MoTe2 foram produzidas sobre substrato de SiO2/Si usando a técnica de esfoliação micromecânica em ambiente de sala limpa. Em seguida, usando a técnica de microscopia óptica, foram realizadas varreduras espaciais sobre a superfície do substrato. Através do contraste entre a amostra e o substrato, foi possível avaliar qualitativamente a presença de amostras com poucas camadas de MoTe2. As amostras de poucas camadas foram caracterizadas usando a técnica de espectroscopia micro-Raman, no Laboratório de Espectroscopia Raman do Departamento de Física da UFV. Após a análise dos espectros, foi possível observar que o material possui alta qualidade cristalina e poucas impurezas. Em seguida, os materiais produzidos neste trabalho foram caracterizados usando a técnica de espectroscopia Raman resolvida em ângulo, usando um sistema controlado por Arduino e Python, produzido em um trabalho de colaboração em andamento. Usando esta técnica, foi possível inferir sobre as propriedades cristalográficas do material produzido, bem como mostrar que a técnica se mostrou viável para estudo da orientação cristalográfica de materiais de poucas camadas. |