"Ciências Básicas para o Desenvolvimento Sustentável"
24 a 26 de outubro de 2023
Trabalho 18937
| ISSN | 2237-9045 |
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| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Física Geral |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | PIBIC/CNPq |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | CNPq |
| Primeiro autor | Gabriel Rebonato Gallo |
| Orientador | RAFAEL OTONIEL RIBEIRO RODRIGUES DA CUNHA |
| Outros membros | Andriele da Silva Vieira |
| Título | Filmes finos de MoS2 produzidos por magnetron sputtering |
| Resumo | Materiais avançados de baixa dimensionalidade são objetos de grande interesse em aplicação de dispositivos eletrônicos, sendo possível também a sua aplicação em áreas emergentes como a spintrônica. Tudo isso devido às características únicas desses materiais, que só existem devido ao confinamento quântico causado pela espessura de ordem atômica deles. Entre esses materiais está o dissulfeto de molibdênio (MoS2), um candidato promissor para aplicação nos nanodispositivos do futuro. Porém, a aplicação tecnológica desse material só pode ser viabilizada através de uma técnica de crescimento compatível com a indústria e a produção em larga escala. A técnica de crescimento de filmes finos conhecida como magnetron sputtering atende a esses pré-requisitos. Neste trabalho foi realizado um estudo do crescimento de filmes finos de MoS2 por magnetron sputtering, visando a produção de heteroestruturas que possibilitem estudos em spintrônica como o efeito Seebeck de spin. Dessa forma, investigou-se os efeitos da temperatura de annealing nas amostras após o crescimento, mantendo-se o substrato a temperatura ambiente. A análise das fases e ordenação cristalinas dos filmes foi feita utilizando a técnica de espectroscopia Raman (ER). A microscopia de força atômica (AFM) e a microscopia eletrônica de varredura (MEV) foram usadas para analisar a morfologia das amostras enquanto que a Espectroscopia de Energia Dispersiva de Raios X (EDS) foi usada para obter um mapa da composição química dos filmes. Os resultados da ER mostram a presença majoritária da fase semicondutora do MoS2 nas amostras com temperaturas de annealing maiores. As medidas de AFM e MEV mostram que o filme tratado em altas temperaturas apresenta uma superfície uniforme e de baixa rugosidade, demonstrando a necessidade do uso de tratamento térmico em altas temperaturas para formação da fase cristalina e obtenção de filmes de maior qualidade cristalina. Com isso, obtivemos uma rotina de crescimento, onde se fez uso do annealing in situ em altas temperaturas para obtenção dos filmes com as características desejadas para a próxima etapa (estudo do efeito Seebeck de spin). |
| Palavras-chave | Dissulfeto de molibdênio, magnetron sputtering, filmes finos |
| Forma de apresentação..... | Painel |
| Link para apresentação | Painel |
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