"Ciências Básicas para o Desenvolvimento Sustentável"
24 a 26 de outubro de 2023
Trabalho 18477
| ISSN | 2237-9045 |
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| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Ciência da computação |
| Setor | Instituto de Ciências Exatas e Tecnológicas - Campus Florestal |
| Bolsa | PIBIC/CNPq |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | CNPq |
| Primeiro autor | Emanuel Vítor Carvalho Ruella |
| Orientador | JOSE AUGUSTO MIRANDA NACIF |
| Outros membros | Maria Dalila Vieira, RICARDO DOS SANTOS FERREIRA |
| Título | Ferramentas para Projeto de Circuitos em Nanotecnologias Acopladas por Campo |
| Resumo | A tecnologia CMOS está chegando ao seu limite teórico pois o átomo de silício é de 0.3 nm e os processadores modernos chegam a ter tecnologias que beiram o tamanho de 2 nm. Os Silicon Dangling Bonds (Pontos Quânticos de Silício) - SiDBs, compõem uma tecnologia promissora dentro das FCNs (Field Coupled Nanotechnologies) como uma possível substituta ou tecnologia complementar pós-CMOS. As FCNs possuem diversas vantagens como tamanho reduzido, baixíssimo custo energético, altas velocidades e pouca produção de calor. Dentro de todas as FCNs, entre elas as QCAs (Quantum Cellular Automata), NMLs (Nanomagnetic Logic) e SiDBs, as SiDBs são as mais promissoras no quesito de funcionamento prático, visto que podem funcionar em temperatura ambiente, não necessitando de criogenia. Dentro dessa área, podemos fazer computação binária utilizando das cargas presentes em átomos de hidrogênio que são destacados de uma placa de silício, também chamados de Dangling Bonds. Esses DBs podem possuir 3 configurações, DB+ com 0 cargas negativas, DB0 com 1 carga negativa, e DB- com 2 cargas negativas, esses dois últimos são usados para se obter lógica binária. A propagação de informações dentro dos SiDBs é feita com a colocação de pares de DBs em uma sequência linear ou de circuito na qual as interações atômicas entre os elétrons propagam a informação no sistema. Utilizando-se de perturbadores (DBs solitários) é possível controlar como essas interações ocorrem, permitindo assim lógica booleana. O objetivo deste trabalho é a interconexão de portas de formato Y com o parâmetro de simulação Mi = -0.32. Esse trabalho então foca no desenvolvimento de uma biblioteca de interconexão de portas com a utilização de uma porta intermediária chamada de repetidor ou booster, que permite a conexão de portas sem a necessidade de modificação interna nas portas já existentes. Esse trabalho se mostra importante graças à falta de uma metodologia ou porta com funcionamento de interconexão no estado da arte, com o único modo até o momento, sendo a modificação completa de uma porta ou o desenvolvimento de um circuito único composto. Resultados preliminares mostram a utilização da porta intermediária booster na conexão em 3 portas empregando portas dos tipos AND, OR, XNOR e NAND. |
| Palavras-chave | Computação, Silicon Dangling Bonds, Pós-CMOS |
| Forma de apresentação..... | Painel |
| Link para apresentação | Painel |
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