“Inteligência Artificial: A Nova Fronteira da Ciência Brasileira”
19 a 24 de outubro de 2020
Trabalho 14386
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Físico-Química |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | PIBIC/CNPq |
| Conclusão de bolsa | Não |
| Apoio financeiro | CNPq |
| Primeiro autor | Wesley Fiorio Inoch |
| Orientador | LUCIANO DE MOURA GUIMARAES |
| Título | Foto eletrodeposição de metais em semicondutores |
| Resumo | O trabalho envolveu a síntese de microdepósitos metálicos por foto eletrodeposição sobre silício monocristalino do tipo p. Para isso utilizou-se os lasers de um espectrômetro Raman e o microscópio Raman para controle da focalização do laser sobre o eletrodo de trabalho. Os depósitos estudados foram baseados no eletrólito de CuSO4. Inicialmente utilização da fotoeletrodeposição permitiu produzir microdepositos de cobre exageradamente grandes, mas no decorrer do estudo foi encontrado parâmetros os quais a oxirredução do cobre só ocorre significativamente onde a luz é focada, gerando microdepositos pontuais. Percebemos que a fotoindução de microdepósitos de cobre no silício se tornava cada vez menos eficaz até que era impossível crescer novos microdepósitos. Provavelmente a camada de óxido de silício superficial removido previamente voltava a crescer lentamente. Quanto mais espessa essa camada, menor a sensibilidade à luz. Para evitar a reoxidação do silício exige um aparato experimental complexo, pois o aditivo ácido fluorídrico necessário fumega vapores perigosos. Como este equipamento era inviável de ser construído buscamos realizar o experimento em um tempo mínimo, antes que a camada de óxido se torne significativa. Passamos a usar apenas um segundo como tempo de fotoeletrodeposição. Este tempo possibilitou que dezenas de microdepósitos fossem feitos no mesmo silício, maximizando os estudos feitos antes que fosse impossível depositar. Porém, a deposição rápida impossibilitou o arranjo estável fazendo que os depósitos metálicos desprendessem facilmente substrato. Para contornar o problema foi usado ácido sulfúrico como aditivo o que melhorou a fixação e homogeneidade do cobre metálico sobre o silício. Para minimizar ainda mais os efeitos da oxidação do silício foi usado um software de automação.Automatizar as mudanças de parâmetros usados na eletrodeposição fotoassistida garantiu um tempo mínimo e constante neste processo. Conseguimos produzir dezenas de microdepósitos fotoinduzidos pela luz, com diferentes parâmetros utilizados, em um mesmo silício. Isso possibilita posteriormente um estudo da correlação da morfologia dos microdepósitos com parâmetros usados. O controle da morfologia garantira a possibilidade de uma vasta gama de aplicações. |
| Palavras-chave | silício, fotoassistida, cobre |
| Forma de apresentação..... | Vídeo |
| Link para apresentação | Vídeo |
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