Resumo |
Trabalhos recentes têm demonstrado um efeito de cristalização fotoinduzida do telúrio, em filmes finos de CdTe, crescidos por epitaxia de feixe molecular (MBE, da sigla em inglês molecular beam epitaxy). Simultaneamente, o grupo do laboratório de espectrocopia Raman do Departamento de Física da UFV conseguiu observar um efeito semalhante em filmes finos de Cd1-xMnxTe, também crescidos por epiataxia de feixe molecular. Porém, os primeiros trabalhos, feitos pelo Oliveira, R. P. et al(2018), mostram que a concetração de Mn muda consideravelmente as taxas de fotocristalização observadas nas amostras. Neste presente trabalho, investigamos o efeito da incorporação de Mn, desde o CdTe puro até altas concentrações, nos modos vibracionais referentes às ligações Cd-Te, Mn-Te e Te-Te. Para estudar tal efeito, crescemos amostras sobre substrato de Si(1,1,1), por meio da técnica de MBE, com diferentes valores da fração molar de manganês (x), sendo x=0, x=0,45, x=0,58 e x=0,76, mantendo a temperatura do substrato (Ts) constante a Ts=400ºC e variando a temperatura (TMn) da célula de efusão do Mn, entre TMn=800ºC e TMn=840ºC. Para efeito de comparação, foi analisada também uma amostra de CdTe puro (x=0), sendo que, para o crescimento dessa amostra, a célula de efusão do Mn não participou do processo.Essas amostras foram crescidas com uma taxa de 3nm/min e possuem 200nm de espessura. Após a síntese das amostras, foi feita uma avaliação qualitativa para observarmos se havia o efeito de fotocristalização nas mesmas, antes de avaliarmos a dependência do espectro Raman em função da concentração de Mn. A caracterização das amostras foi feita por meio da técnica de espectroscopia Raman, utilizando um laser de He-Ne com comprimento de onda de 633 nm. A partir dos espectros obtidos, percebemos que há uma variação da posição dos picos referentes às interações Te-Te e Cd-Te, de acordo com variação da fração molar de manganês. Porém, diferentemente dessas interações, não foi observada nenhuma alteração significativa na posição referente à ligação do MnTe. |