“Inteligência Artificial: A Nova Fronteira da Ciência Brasileira”
19 a 24 de outubro de 2020
Trabalho 13369
| ISSN | 2237-9045 |
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| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Física da Matéria Condensada |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | PIBIC/CNPq |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | CNPq |
| Primeiro autor | Maria Vitoria Tiago Inocencio |
| Orientador | SUKARNO OLAVO FERREIRA |
| Outros membros | LEONARDE DO NASCIMENTO RODRIGUES |
| Título | Crescimento e caracterização de QW de CdMnTe e a produção de Nanotubos de CdTe/CdMnTe |
| Resumo | Maria Vitoria T Inocêncio1, Sukarno O Ferreira1 , Leonarde N Rodrigues1 1Departamento de Física, Universidade Federal de Viçosa, Viçosa, MG Os semicondutores são produtos de grande interesse tecnológico, devido as suas aplicações em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. Na física fundamental os semicondutores, são muito úteis para realização de estudos dos portadores de cargas e seus complexos, tendo a possibilidade de estudar em sistemas de baixas dimensões, como poços quânticos (QWs) e pontos quânticos (QDs). Existem muitos estudos a cerca de heteroestruturas baseadas em semicondutores III-V, como por exemplo o composto Arseneto de Gálio e Alumínio (GaAs/GaAlAs), mas em relação aos semicondutores II-VI, como o Telureto de Cádmio (CdTe) os estudos são mais limitados. Este composto semicondutor apresenta estrutura cúbica de face centrada e banda de energia com "gap" direto e se destaca por suas propriedades optoeletrônicas, que proporcionam sua utilização como células solares, detectores de raios-X e outros dispositivos. Quando combinado com o íons de Manganês (Mn) propriedades magnéticas são introduzidas, além de alterar o parâmetro de rede da estrutura cristalina e a energia de "gap" do cristal. Este trabalho está focado nas produção de estruturas baseadas no sistema CdTe/CdMnTe e obtidas a partir do crescimento de filmes finos pela técnica de Epitaxia por Feixe Molecular (MBE). O CdMnTe, possuindo gap de energia maior que o CdTe funciona como barreira de energia, tanto para elétrons quanto para buracos. Foram produzidos filmes ultra finos e heteroestruturas do tipo poço quântico e poços quânticos multiplos. Foram utilizadas para caracterização as técnicas de perfilometria ótica, microscopia de força atômica, difração de raios-x e fotoluminescência, que revelaram amostras de alta qualidade. Os QWs de CdTe com barreiras de CdMnTe apresentaram sinal de fotoluminescência de alta intensidade, provavelmente devido a formação de pontos quânticos rasos devido à elevada rugosidade das interfaces. Pretende-se, no futuro, incorporar estes QWs em nanomembranas e microestruturas tubulares produzidas por . ^^^^ |
| Palavras-chave | CdMnTe, MBE, heteroestruturas |
| Forma de apresentação..... | Painel |
| Link para apresentação | Painel |
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