| Resumo |
O telúrio na fase trigonal é um semicondutor com uma estreita banda de energia proibida (bandgap) de 0,35 eV na forma bulk e 1,0 eV na monocamada. Em temperatura ambiente e pressão atmosférica, ele apresenta uma estrutura cristalina atômica altamente anisotrópica, com três átomos por célula unitária que formam cadeias helicoidais orientadas ao longo de um eixo de simetria c. Essas cadeias são empilhadas lateralmente formando o cristal de Te através da interação de van der Waals. Devido a essa propriedade, é possível isolar poucas cadeias atômicas, assim, formando um material quasi-unidimensional: os nanofios de Te. A síntese dos nanofios de Te pode ser feita através da esfoliação micromecânica, reações hidrotérmicas, deposição eletroquímica, deposição física de vapor, deposição química de vapor, dentre outras técnicas. Em particular, a deposição física de vapor é uma das técnicas que permite o controle da quantidade de camadas e alto ordenamento cristalino. Para a caracterização dessas nanoestruturas, a espectroscopia Raman polarizada resolvida em ângulo (ARPR) é uma técnica não destrutiva amplamente empregada, por permitir investigar simetrias vibracionais, orientações cristalográficas e anisotropias ópticas. No presente trabalho foi desenvolvida instrumentações para realização de medidas de ARPR em um espectrômetro micro-Raman InVia Renishaw, utilizando uma plataforma automatizada baseada em Arduino. Um dos aparatos permite a rotação da amostra e o outro permite a rotação da polarização da luz incidente. Para isso, foram utilizados motores de passos, controlados via microcontrolador, com suportes mecânicos desenvolvidos em um software de desenho assistido por computador (CAD) e fabricados em impressora 3D de modelagem por deposição fundida (FDM). Este sistema permitiu a realização de medidas com alta resolução angular em nanofios de Te crescidos sobre Si (100) por epitaxia de paredes quentes. A análise dos espectros obtidos em diferentes configurações angulares possibilitou a extração e a análise dos elementos do tensor Raman, permitindo sua correlação com a orientação cristalina. |