"A Transversalidade da Ciência, Tecnologia e Inovações para o Planeta"
5 a 7 de outubro de 2021
Trabalho 15380
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Física da Matéria Condensada |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | FUNARBIC/FUNARBE |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | FUNARBE |
| Primeiro autor | Maria Eduarda Péres Gonçalves |
| Orientador | LEONARDE DO NASCIMENTO RODRIGUES |
| Título | Crescimento e caracterização de amostras GaAs/CdTe dopadas com CdCl2 |
| Resumo | O presente trabalho possui interesse em uma classe de heteroestruturas conhecidas como semicondutores magnéticos diluídos, cuja rede é composta por uma fração de átomos magnéticos. O sistema investigado é o Cd1-xMnxTe, o qual possui grande relevância tecnológica no desenvolvimento de detectores de raios gama, isoladores ópticos, lasers e células solares. Objetiva-se o desenvolvimento de amostras crescidas pela técnica de Epitaxia por Feixe Molecular (Molecular-beam epitaxy - MBE) de Telureto de Cádmio (CdTe) sobre substrato de Arseneto de Gálio (GaAs). Todos os substratos de GaAs utilizados receberam um tratamento térmico antes do início do crescimento, com o intuito da remoção do óxido formado na superfície do sólido. Visa-se uma dopagem tipo-n dessa estrutura com Cloreto de Cádmio (CdCl2) e sua caracterização estrutural e elétrica. O crescimento dessas heteroestruturas é realizado por meio do MBE e a sua caracterização estrutural é efetuada mediante a Difração por Raio-X e medidas elétricas de 4 pontas pelo método de Van der Pauw. No caso das medidas elétricas, mensura-se curvas I-V ôhmicas e calcula-se os valores de resistividade e resistência de folha, utilizando programas em código Fortran 90 e pacotes matemáticos já desenvolvidos no Departamento de Física da Universidade Federal de Viçosa - UFV. O crescimento foi realizado para várias temperaturas de substratos, a fim de otimizar os parâmetros de crescimento. Ademais, buscou-se adquirir experiência em técnicas experimentais disponíveis nas instalações do Departamento de Física da UFV assim como um estudo introdutório sobre propriedades elétricas e estruturais de nanoestruturas semicondutoras. Por meio da Difração por Raio-X foi possível verificar o crescimento do CdTe sobre os substratos de GaAs. Além disso, verificou-se que, dependendo da temperatura e do tempo utilizado no tratamento térmico antes de iniciar o crescimento, pode-se crescer filmes de CdTe com diferentes orientações, isto é, CdTe (111) ou CdTe (100). As dopagens utilizadas não alcançaram o objetivo de dopagem tipo-n com o CdCl2, mantendo o CdTe altamente resistivo. Muito ainda há de ser feito para que se possa obter uma caracterização satisfatória deste material, contudo, o estudo desenvolvido neste projeto é de fundamental importância para a formação de novos cientistas e para expansão acerca do conhecimento de aplicações em tecnologia da informação, eletrônica e comunicação. |
| Palavras-chave | Nanoestruturas semicondutoras, epitaxia, caracterização |
| Forma de apresentação..... | Vídeo |
| Link para apresentação | Vídeo |
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