"A Transversalidade da Ciência, Tecnologia e Inovações para o Planeta"
5 a 7 de outubro de 2021
Trabalho 14902
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Física da Matéria Condensada |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | PIBIC/CNPq |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | CNPq |
| Primeiro autor | Maria Vitoria Tiago Inocencio |
| Orientador | SUKARNO OLAVO FERREIRA |
| Outros membros | LEONARDE DO NASCIMENTO RODRIGUES |
| Título | Caracterização ótica de heteroestruturas de CdMnTe/CdTe/CdMnTe sobre Si(111) |
| Resumo | Os semicondutores são materiais de grande interesse, devido às suas aplicações em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. Na física fundamental os semicondutores são muito úteis para estudos do comportamento quântico dos portadores de carga em sistemas de baixa dimensão como QW’s, QD’s e outras estruturas. O composto semicondutor Telureto de Cádmio (CdTe) se destaca por suas propriedades optoeletrônicas, que proporcionam sua utilização como células solares, detectores de raios-X e outros dispositivos. A introdução de íons de Manganês (Mn), formando a liga ternária CdMnTe provoca um aumento na energia da banda proibida, uma redução no parâmetro de rede e faz o material adquirir propriedades magnéticas, permitindo novas aplicações. O crescimento de filmes finos e heteroestruturas de CdTe e CdMnTe pode ser obtido por meio da técnica de Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE), onde é possível controlar a espessura, composição e a qualidade da amostra. Manipulando a temperatura de evaporação, temperatura de deposição do substrato e o tempo de duração do processo é possível controlar os aspectos físicos dos filmes finos. As amostras foram fabricadas usando um sistema MBE home made com células de efusão de CdTe e Mn, que pode ser encontrado no laboratório de multiusuário do Departamento de Física da UFV. Nesse trabalho, o aumento da energia da banda proibida do CdMnTe em relação ao CdTe é utilizado para a produção de estruturas do tipo poço quântico simples CdMnTe/CdTe/CdMnTe sobre substratos de Silício, utilizando a técnica de MBE. Os filmes finos de CdMnTe são caracterizados por perfilometria óptica, difração de raios-x de alta resolução e microscopia de força atômica. As heteroestruturas CdMnTe/CdTe, com diferentes espessuras do poço (CdTe) e da barreira (CdMnTe) são caracterizadas por medidas de fotoluminescência e apresentam emissão ótica de alta intensidade cujo comprimento de onda varia dependendo da espessura do poço de CdTe, evidenciando o efeito do confinamento quântico. Agradecemos às agências de fomento CNPq, CAPES e FAPEMIG pelo apoio financeiro. |
| Palavras-chave | CdMnTe, Semicondutor, MBE |
| Forma de apresentação..... | Painel |
| Link para apresentação | Painel |
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