ISSN |
2237-9045 |
Instituição |
Universidade Federal de Viçosa |
Nível |
Graduação |
Modalidade |
Pesquisa |
Área de conhecimento |
Ciências Exatas e Tecnológicas |
Área temática |
Física teórica, experimental e de simulação |
Setor |
Departamento de Física |
Bolsa |
PROBIC/FAPEMIG |
Conclusão de bolsa |
Sim |
Apoio financeiro |
FAPEMIG |
Primeiro autor |
Thiago Constancio Severo |
Orientador |
SUKARNO OLAVO FERREIRA |
Título |
Caracterização de Nanoestruturas Cristalinas por Difração de Raio-X |
Resumo |
Dentre as fontes de energia, as células fotovoltaicas são dispositivos de energia renováveis com vantagens na capacidade de captação da luz solar, são de fácil fabricação e baixo custo. O CdTe (Telureto de Cádmio) possui as seguintes propriedades que são elas: a temperatura ambiente possui gap de 1,5 eV, que encontra dentro da faixa de ótima conversão da luz em eletricidade. Além de ser um semicondutor de banda direta, ou seja, essa transição envolve somente a absorção do fóton e a consequente formação do par elétron-buraco. O fato de ter banda direta significa que o valor máximo da banda de valência e o valor mínimo da banda de condução ocorrem no mesmo valor de momento. Além das propriedades anteriores temos que o coeficiente de absorção ótica direta é alto o suficiente para que a radiação solar com energia acima da banda proibida seja absorvida dentro de 1 e 2 μm de espessura do material. Com a adição de Manganês tem-se um cristal composto de CdTe e Mn (CdMnTe) que pode adicionar propriedades magnéticas e alterar os parâmetros de rede dos filmes. O objetivo desse trabalho é caracterizar amostras crescidas a partir da técnica de epitaxia por feixe molecular para obtenção de cristais de CdMnTe crescidos sobre substratos de Si (111) usando a técnica de difração de raios-x. O processo de difração de raio-x pode ser definido como o espalhamento dos raios pelos átomos de um cristal e esse espalhamento produz o efeito de interferência. Através da lei de Bragg podemos extrair diversas informações estruturais do mesmo como distância interplanar e parâmetro de rede. Todas essas informações são obtidas pelo padrão de interferência do cristal analisado. Durante esse trabalho foram analisadas diversas amostras crescidas com temperatura do forno de CdTe a 580°C, temperatura do substrato a 350°C, tempo de crescimento de 1h (uma hora) e temperatura do forno de manganês variando de 750 a 820°C. Foi utilizado o método de medida θ - 2θ para abordar a influência da temperatura do Mn na variação do parâmetro de rede. Este trabalho foi financiado pela FAPEMIG. |
Palavras-chave |
Semicondutores, Raio-x, MBE |
Forma de apresentação..... |
Oral |