Fome e Abundância: Um Paradoxo Brasileiro?
17 a 22 de outubro de 2016
Trabalho 6237
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Física teórica, experimental e de simulação |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | CNPq |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | CNPq, FAPEMIG |
| Primeiro autor | Paulo Lopes de Souza Júnior |
| Orientador | SUKARNO OLAVO FERREIRA |
| Título | Crescimento e caracterização de filmes semicondutores |
| Resumo | Nas últimas décadas o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos mais modernos e menores é devido ao grande investimento tanto cientifico quanto tecnológico na pesquisa em novos materiais. Estes estudos são extremamente interessantes, pois podem apresentar tecnologia totalmente inovadora jamais vista ou substituindo as ultrapassadas. Um grande exemplo são os semicondutores, materiais que apresentam resistividade elétrica entre os condutores e isolantes, e podem ter suas características naturais modificadas através da dopagem, permitindo a fabricação de dispositivos como diodos emissores de luz (LED), lasers, transistores e sensores. O desenvolvimento de semicondutores com alta qualidade cristalina, tem sido possível através técnicas de crescimento de películas finas desenvolvidas atualmente. Uma das técnicas que possui um grau elevado de qualidade de crescimento de filmes finos é a Epitaxia por Feixe Molecular (MBE), devido ao grau de pureza gerado pelas condições de ultra-alto vácuo, e o controle preciso da qualidade do material depositado. Para a caracterização dos filmes finos utilizamos as seguintes técnicas: AFM (Microscópia de força atômica), Perfilômetria e difração de raio-x. As amostras estudadas são filmes de Telureto de Cádmio e Manganês (CdMnTe) crescidos sobre silício (111) variando a temperatura característica do substrato de 150ºC até 400ºC. O AFM permite conhecer a topografia da superfície dos filmes através de imagens em alta resolução em escala manométricas. A perfilômetria é utilizada para obter as espessuras de cada filme, determinando a taxa de crescimento do filme. Finalmente, a difração de raio-x possibilita o estudo das propriedades estruturais do cristal de forma qualitativa e quantitativa, utilizando a lei de Bragg para determinar as distâncias interplanares da rede cristalina e a concentração de manganês em função da temperatura da célula de Mn utilizada durante o crescimento. Este trabalho foi financiado pelas agências de financiamento CNPq e FAPEMIG. |
| Palavras-chave | MBE, caracterização, CdMnTe |
| Forma de apresentação..... | Painel |