Fome e Abundância: Um Paradoxo Brasileiro?
17 a 22 de outubro de 2016
Trabalho 6220
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Ciência dos materiais |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | FAPEMIG |
| Conclusão de bolsa | Não |
| Apoio financeiro | FAPEMIG |
| Primeiro autor | Hugo Rodrigues Damasceno |
| Orientador | SERGIO LUIS DE ABREU MELLO |
| Título | Fabricação e caracterização do Cd1-xMnxTe dopado via implantação iônica |
| Resumo | A crescente demanda por dispositivos eletrônicos de alta potência, de baixo consumo ou com alta velocidade de processamento tem impulsionado as pesquisas em novos materiais. Um exemplo disso foi o surgimento recente de um ramo da eletrônica, chamado “spintrônica”, que busca integrar num mesmo dispositivo propriedades de armazenamento e de processamento de dados. A ideia chave consiste em adicionar elementos magnéticos ao material semicondutor por processo de dopagem (durante ou após sua fabricação). Ou ainda, fabricar ligas compostas por elementos magnéticos e elementos típicos de materiais semicondutores. Neste contexto, um material com potencial aplicação em dispositivos optoeletrônicos e sensores é o semicondutor magnético diluído (SMD) telureto de cádmio e manganês, Cd1-xMnxTe, o qual será estudado nesse trabalho. O presente trabalho visa a investigação das propriedades elétricas, magnéticas, ópticas e estruturais do Cd1-xMnxTe dopado via implantação iônica. As amostras de Cd1-xMnxTe foram crescidas utilizando uma técnica de crescimento epitaxial chamada “hot wall epitaxy”. Após crescidas, as amostras foram bombardeadas por feixes de íons a fim de melhorar suas propriedades de transporte elétrico (ou até mesmo suas propriedades magnéticas, caso essas dependam diretamente da densidade de portadores de carga, como acontece no Ga1-xMnxAs, um outro SMD). Para assegurar que íons implantados assumam uma posição na rede do material, o mesmo passa por um tratamento térmico, que também ajuda a diminuir os defeitos criados na estrutura cristalina devido à passagem do feixe de íons. As amostras são então caracterizadas utilizando técnicas de difração de raios X, espectroscopia Raman e fotoluminescência, microscopia de força atômica e medidas de transporte elétrico. Nossos resultados preliminares com filmes de CdTe (830 nm) irradiadas com íons de F- (dose de 1,3x1014 F-/cm2 ) indicam que houve uma ligeira modificação das propriedades estruturais da amostra (caracterizadas pela técnica de raios X) devido à presença do F, enquanto suas propriedades ópticas não foram modificadas. A investigação de outras amostras irradiadas com doses mais elevadas, da ordem de 1016 íons/cm2, e com outros elementos dopantes como Cl, está em curso. |
| Palavras-chave | Spintrônica, Telureto de Cádmio e manganês, Implantação iônica |
| Forma de apresentação..... | Oral, Painel |