Fome e Abundância: Um Paradoxo Brasileiro?
17 a 22 de outubro de 2016
Trabalho 5864
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Nanociência/nanotecnologia |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | PIBIC/CNPq |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | CNPq |
| Primeiro autor | Camila Nunes Pinotti |
| Orientador | RENÊ CHAGAS DA SILVA |
| Título | Síntese e Caracterização de Filmes Finos do Composto Hexacianoferrato de Bismuto |
| Resumo | O desenvolvimento de sensores é uma área que está em constante crescimento, nesse sentido, as pesquisas estão relacionadas ao desenvolvimento de materiais e métodos de baixo custo de produção e que não agridam o meio ambiente. Dentre os inúmeros materiais utilizados para a construção de sensores e biossensores está a classe dos compostos hexacianoferratos metálicos (MHCF). Os compostos MHCF em geral apresentam uma estrutura cúbica de face centrada, onde os átomos de metais estão ligados aos grupos cianetos. As posições intersticiais podem ser ocupadas por cátions de metais alcalinos, de maneira a manter a neutralidade de cargas. Uma característica importante é a facilidade de síntese, seja ela química ou eletroquímica, de compostos com diferentes metais na sua estrutura. Dentre todos os metais já utilizados como formador dos compostos HCF, está o Bismuto. Em termos eletroanalíticos esse material tem se mostrado muito promissor no desenvolvimento de sensores eletroquímicos. Neste caso o Bi funciona como eletrodo e através de técnicas eletroquímicas é possível a identificação e quantificação dos metais pesados contidos na solução. Apesar de todas essas características, pouco estudo foi realizado até hoje, com o objetivo de estudar as propriedades físicas e eletroanalíticas de filmes finos de compostos hexacianoferratos formado com Bismuto, ou seja, Bi-HCF. Essa foi uma das principais motivações para a realização desse projeto, que tem como objetivos a eletrodeposição de filmes finos do composto Hexacianoferrato de Bismuto (Bi-HCF), a caracterização morfológica e estrutural dos filmes através de técnicas de Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) e espectroscopia Raman, a caracterização química através da técnica de Espectroscopia por Dispersão de Energia (EDS), além da utilização de métodos eletroquímicos para a investigação das propriedades eletroanalíticas dos filmes. Os filmes finos do composto Bi-HCF depositados sobre substratos de Si, foram obtidos a partir de voltametrias cíclicas sequenciais em eletrólito contendo íons ferrocianeto. Os resultados de MEV e Raman mostram a formação de grãos hexagonais espaçados sobre a superfície do Si, podendo formar aglomerados dependendo do tempo de deposição e confirmam a formação do composto. Para a verificação das propriedades eletroanalíticas dos filmes utilizamos a técnica da voltametria cíclica numa solução contendo íons de potássio em diferentes concentrações. Os resultados eletroanalíticos mostraram que a corrente de pico medida é proporcional a concentração de K no eletrólito, caracterizando o material como sensor eletroquímico. |
| Palavras-chave | Hexacianoferratos metálicos, Bismuto, voltametria ciclica |
| Forma de apresentação..... | Painel |