Ciência, saúde e esporte: conhecimento e acessibilidade
21 a 26 de outubro de 2013
Trabalho 440
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Física teórica, experimental e de simulação |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | PROBIC/FAPEMIG |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | FAPEMIG |
| Primeiro autor | Natália Pereira Rezende |
| Orientador | MAXIMILIANO LUIS MUNFORD |
| Título | Produção e Caracterização de Heterojunções de Filmes de ZnO/p-Si obtidos via Eledrodeposição |
| Resumo | Neste trabalho, realizou-se o estudo de heterojunções de filmes de Óxido de Zinco (ZnO) eletrodepositados sobre silício tipo-p. O ZnO é um semicondutor tipo n de grande interesse tecnológico devido ás suas propriedades eletrônicas e optoeletrônicas. Tais propriedades permitem sua aplicação em sensores químicos, células solares, diodos de emissão de luz UV, diodos a laser, microsensores e outros dispositivos. Sobretudo, heterojunções n-ZnO/p-Si são atraentes para o empregado em fotodiodos de alta qualidade. Neste estudo a eletrodeposição potenciosatica foi executada em célula eletroquímica de três eletrodos, controlada por um potenciostato. Tanto a célula quanto os eletrodos de trabalho e auxiliar foram confeccionados no Laboratório de Eletrodeposição de Superfícies e Películas Avançadas da UFV. Como eletrodo de referência utilizou-se o Ag/AgCl. Durante todos os experimentos a célula eletroquímica foi mantida em banho térmico de 70°C. A técnica de voltametria cíclica foi utilizada para informações qualitativas e quantitativas a respeito da cinética das reações físico-químicas na interface do eletrodo de trabalho com eletrólito. A partir das analises dos comportamentos voltamétricos foi possível identificar a faixa de potencial onde ocorre a formação de ZnO. Além da técnica de eletrodeposição potenciostática, onde o potencial de crescimento é mantido constante durante toda a deposição, foi empregado um método de crescimento no qual a eletrodeposição foi dividida em duas etapas. Na primeira etapa aplica-se um potencial bem mais negativo que o potencial de formação de ZnO, com duração de milissegundos, com objetivo de promover a nucleação no substrato. Na segunda etapa é realizado o crescimento do ZnO sobre os núcleos retornando ao potencial menos intenso. A duração da eletrodeposição de ZnO foi de 60 minutos. A morfologia e espessura dos filmes foram analisadas utilizando Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV). Para se calcular o fator de idealidade (h) do diodo, analisou-se as curvas I versus V características da heterojunção de n-ZnO/p-Si. |
| Palavras-chave | ZnO, eletrodeposição, heterojunções |
| Forma de apresentação..... | Painel |