Ciência, saúde e esporte: conhecimento e acessibilidade
21 a 26 de outubro de 2013
Trabalho 377
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Física teórica, experimental e de simulação |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | CNPq |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | CNPq |
| Primeiro autor | André Persechino Américo de Oliveira |
| Orientador | SUKARNO OLAVO FERREIRA |
| Título | Crescimento e caracterização de filmes espessos de CdTe para fabricação de detectores de raios-x |
| Resumo | O objetivo deste projeto foi realizar um estudo sobre o crescimento de filmes espessos de Telureto de Cádmio (CdTe) por meio da técnica de epitaxia de paredes quentes (HWE – hot wall epitaxy), bem como sua caracterização elétrica e morfológica por meio de levantamento de curvas corrente-tensão e perfilometria, respectivamente. A motivação para tal estudo se deu pela potencialidade de aplicação do CdTe na fabricação de detectores de raios-X, que apresenta vantagens em relação a outros tipos de detectores, tal como a possibilidade de operação em temperatura ambiente. Dessa forma, foi realizada revisão sobre a produção e detecção de raios-X. Essa revisão teve por finalidade evidenciar os pontos-chave da interação dos raios-x com a matéria, dado que a fabricação de um detector deve ocorrer de forma que os parâmetros físicos que estejam diretamente associados à interação (número atômico, resistividade elétrica, etc.) sejam evidenciados a priori e alterados – quando possível – visando otimizar a operação do detector. Foi realizada também uma revisão sobre medidas elétricas e crescimento epitaxial, visando embasar teoricamente os procedimentos adotados. Em particular, o método de van der Pauw para caracterização elétrica de materiais foi escolhido para estudo e aplicação. Entretanto, será mostrado que as amostras estudadas apresentaram grande resistividade elétrica, o que dificultou a caracterização elétrica. Embora seja desejável uma alta resistividade para este tipo de detector, a magnitude da resistividade das amostras estudadas foi tal que a infra-estrutura atual do laboratório onde a pesquisa foi conduzida não foi capaz de proporcionar medidas com boa reprodutibilidade. Características de superfície puderam ser evidenciadas por meio de análise de curvas de perfilometria, que foi a técnica de caracterização morfológica escolhida. Por fim, serão discutidas as perspectivas e possíveis ações futuras sugeridas para a caracterização das amostras em função das constatações atuais. |
| Palavras-chave | semicondutores, raios-x, CdTe |
| Forma de apresentação..... | Painel |