Das Montanhas de Minas ao Oceano: Os Caminhos da Ciência para um Futuro Sustentável
20 a 25 de outubro de 2025
Trabalho 22013
| ISSN | 2237-9045 |
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| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Dimensões Econômicas: ODS9 |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | FAPEMIG |
| Conclusão de bolsa | Não |
| Apoio financeiro | CNPq, FAPEMIG |
| Primeiro autor | Nicolas Eduardo Biazini |
| Orientador | EDUARDO NERY DUARTE DE ARAUJO |
| Outros membros | Erika Peixoto Pimenta, Gabriel Tomaz Massardi |
| Título | Deposição física em fase vapor de nanofios de telúrio |
| Resumo | A primeira amostra isolada de grafeno em 2004, um material no qual os portadores de carga se comportam efetivamente como partículas sem massa em uma estrutura bidimensional, abriu caminho para o estudo e desenvolvimento de dispositivos baseados em materiais estruturados em poucas camadas. Nesse contexto, surge um material promissor, o telúrio trigonal, que é formado por cadeias em espiral de forma helicoidal ligadas por forças de van der Waals, tem boa condutividade e age como semicondutor em temperatura ambiente, podendo ser usado, por exemplo, na produção de transistores. Um dos maiores desafios para este tipo de aplicação do Te se encontra na banda de energia proibida (bandgap) estreita, de ~0,35 eV. Porém, este valor pode ser aumentado para até ~1 eV, compatível com os dispositivos semicondutores convencionais, quando o Te é produzido como monocamada. Devido à estrutura altamente anisotrópica do Te, uma das suas principais formas consiste em nanofios quasi-1D. Dentre as diversas formas de sintetizar os nanofios de Te, destaca-se a deposição física de vapor, onde uma fonte de telúrio é aquecida em um ambiente de baixa pressão, sob fluxo constante de gases inertes, até que o material a ser depositado atinja uma temperatura na qual sua pressão de vapor seja suficiente para gerar uma taxa adequada de sublimação. O substrato de silício, com camada de óxido nativo, é mantido em temperatura ambiente, de forma a manter gradiente de temperatura que direciona o fluxo do vapor de telúrio para o substrato, onde depositam-se os nanofios. As estruturas depositadas foram caracterizadas por microscopia eletrônica de varredura (SEM). É possível controlar o tamanho dos nanofios (largura e comprimento) apenas mudando o fluxo de gás argônio dentro desse sistema. O principal objetivo deste trabalho é sistematizar a deposição controlada de nanofios de Te para produção de dispositivos na geometria de transistores de efeito de campo. Tais dispositivos serão produzidos pela técnica de litografia por feixes de elétrons e as propriedades eletrônicas dos nanofios de Te serão caracterizadas por medidas de transporte eletrônico em baixas temperaturas. |
| Palavras-chave | Telúrio, Deposição física em fase vapor, Nanofios |
| Forma de apresentação..... | Painel |
| Link para apresentação | Painel |
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