Das Montanhas de Minas ao Oceano: Os Caminhos da Ciência para um Futuro Sustentável

20 a 25 de outubro de 2025

Trabalho 21779

ISSN 2237-9045
Instituição Universidade Federal de Viçosa
Nível Graduação
Modalidade Pesquisa
Área de conhecimento Ciências Exatas e Tecnológicas
Área temática Dimensões Econômicas: ODS9
Setor Departamento de Física
Bolsa FAPEMIG
Conclusão de bolsa Sim
Apoio financeiro FAPEMIG
Primeiro autor Marcus Zem Costa Cerqueira
Orientador RAFAEL OTONIEL RIBEIRO RODRIGUES DA CUNHA
Título Crescimento e Caracterização de Filmes Finos para Estudo da Magnetorresistência Gigante
Resumo A magnetorresistência é um fenômeno físico que ocorre em certos materiais que quando são submetidos a um campo magnético externo tem a sua resistência elétrica modificada. A forma mais simples de se obter um efeito de magnetorresistência foi descoberto por William Thomson (Lord Kelvin) em 1856, que observou que a resistência de peças de ferro variava quando um campo magnético era aplicado sobre elas. Com o passar das décadas variações desse efeito foram descobertas, entre elas o efeito da magnetorresistência gigante (GMR - Giant Magnetoresistance, em inglês), ao qual é obtido uma variação na resistência do material muito maior quando é comparado com o efeito clássico. A GMR foi descoberta por Albert Fert e Peter Grünberg em 1988, e lhes rendeu o Prêmio Nobel de Física em 2007. A GMR ocorre em filmes finos compostos pela junção de camadas de materiais ferromagnéticos separadas por camadas de materiais não magnéticos, formando assim uma estrutura de multicamadas. A GMR é altamente sensível, tendo portanto aplicações em diferentes meios, sendo entre eles no armazenamento de informação em discos rígidos, em sensores magnéticos e até em biossensores.

Esse trabalho consiste no crescimento desses filmes finos compostos por diferentes materiais e na caracterização de seus efeitos eletromagnéticos associados com a sua estrutura. Para que isso ocorra, primeiro as amostras desejadas são crescidas pela técnica de Pulverização catódica (mais conhecido como "sputtering"), ao qual é possível ter um filme homogêneo com espessura nanométrica, como é necessário para que haja o efeito da GMR. Com as amostras prontas, é feito o contato elétrico na superfície do filme e depois as amostras são levadas para que o efeito da GMR seja observado. O setup utilizado para a medida do efeito consiste de um computador para a análise dos dados, uma fonte BOP 20-20 para alimentar o eletroímã e uma fonte que funcionará como Source/Measure que irá medir a variação na resistência da amostra ao mesmo tempo em que é aplicado uma corrente elétrica constante. Para cada amostra é feita uma variação de campo que fica em torno de -500 até 500 Oersted (Oe), onde é tirado uma curva característica de resistência em função do campo externo aplicado. Essa curva característica é repetida várias vezes, pois é feita uma variação angular entre o campo externo e a corrente aplicada no sistema. Por fim, com todos esses dados obtidos é possível compreender o processo de magnetização na amostra que ocasiona no efeito da GMR e assim avaliar a qualidade das amostras crescidas no laboratório.
Palavras-chave magnetismo, GMR, spintrônica
Forma de apresentação..... Painel
Link para apresentação Painel
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