Das Montanhas de Minas ao Oceano: Os Caminhos da Ciência para um Futuro Sustentável
20 a 25 de outubro de 2025
Trabalho 21052
| ISSN | 2237-9045 |
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| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Dimensões Econômicas: ODS9 |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | CNPq |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | CAPES, CNPq, FAPEMIG |
| Primeiro autor | Misael César Isaac Muniz |
| Orientador | LUCIANO DE MOURA GUIMARAES |
| Outros membros | EDUARDO NERY DUARTE DE ARAUJO, Erika Peixoto Pimenta, LEONARDE DO NASCIMENTO RODRIGUES, Wesley Fiorio Inoch |
| Título | Uso da espectroscopia Raman resolvida em ângulo para a caracterização de filmes finos de CdTe |
| Resumo | Estudar a estrutura de filmes de telureto de cádmio (CdTe) crescidos por MBE (epitaxia por feixe molecular) é crucial para otimizar suas propriedades eletrônicas e ópticas, fundamentais em aplicações como células solares e detectores. Este trabalho investiga a evolução estrutural de filmes finos de CdTe crescidos por MBE sobre substratos de arseneto de gálio (GaAs) e silício (Si) com diferentes orientações cristalográficas. A principal técnica de caracterização utilizada foi a espectroscopia Raman polarizada resolvida em ângulo. A análise angular do modo longitudinal óptico (LO) revelou padrões de espalhamento sensíveis à simetria cristalina. Nos filmes crescidos sobre GaAs(100), observou-se uma transição gradual de orientação, com coexistência inicial das direções (111) e (100), seguida de predominância da orientação (100) com o aumento da espessura. Em contraste, filmes depositados sobre substratos (111) de GaAs e Si mantiveram orientação cristalina estável ao longo de toda a espessura, com predominância da orientação (111). O estudo enfrentou desafios experimentais devido a efeitos fotoinduzidos característicos da amostra que interferiram na assinatura espectral do modo LO. Para contornar esse problema, foram realizadas medições em diferentes pontos da amostra, evitando a dominância desses efeitos e tratamentos matemáticos. Os resultados confirmam a eficácia da espectroscopia Raman polarizada como uma ferramenta sensível e não destrutiva para a caracterização estrutural de filmes semicondutores ultrafinos, especialmente onde técnicas convencionais apresentam limitações. Os resultados obtidos neste estudo também foram utilizados como base para demais investigações apresentadas no artigo "Lattice stability and elastic evolution of CdTe membranes fabrication using III–V heterostructures as a substrate" de Wesley F. Inoch et al., no qual se exploram as implicações mecânicas e estruturais da deposição de CdTe em diferentes heteroestruturas III-V. A correlação entre os dados experimentais de espectroscopia Raman e os modelos teóricos de estabilidade de rede contribuiu significativamente para o entendimento das propriedades elásticas e da viabilidade de fabricação de membranas ultrafinas de CdTe com alta qualidade cristalina. Além disso, este trabalho foi desenvolvido com o apoio das agências de fomento FAPEMIG, CNPq e CAPES, cujas contribuições foram fundamentais para a realização das análises experimentais e para o desenvolvimento científico do projeto. |
| Palavras-chave | Espectroscopia Raman resolvida em ângulo, CdTe, Filmes finos |
| Forma de apresentação..... | Painel |
| Link para apresentação | Painel |
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