“Bicentenário da Independência: 200 anos de ciência, tecnologia e inovação no Brasil e 96 anos de contribuição da UFV”.
8 a 10 de novembro de 2022
Trabalho 17354
| ISSN | 2237-9045 |
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| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Física da Matéria Condensada |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | CNPq |
| Conclusão de bolsa | Não |
| Apoio financeiro | CNPq |
| Primeiro autor | Rafael Soares Andrade |
| Orientador | SUKARNO OLAVO FERREIRA |
| Título | Crescimento e caracterização de filmes e heteroestruturas semicondutoras |
| Resumo | Este trabalho tem o intuito de dar continuidade à linha de pesquisa do departamento de Física da Universidade Federal de Viçosa - UFV, que é voltada para a fabricação, caracterização e análise de filmes e estruturas finas semicondutoras. Tais estudos são baseados, em sua maior parte, em compostos de CdMnTe(Telureto de Cádmio e Manganês), devido a suas propriedades eletrônicas e ópticas, e sua potencial aplicação em dispositivos. Tem-se como objetivo o crescimento de amostras a partir da técnica de Epitaxia por Feixe Molecular(Molecular Beam Epitaxy - MBE), em que é utilizado um equipamento desenvolvido no Departamento de Física da UFV. A partir desta técnica, pode-se crescer filmes de Telureto de Cádmio (CdTe), dopados ou não com Manganês (Mn), sobre substratos de Arseneto de Gálio (GaAs). São crescidas amostras com diferentes parâmetros de temperatura, tanto para o material a ser incidido, quanto no substrato em que serão depositadas as moléculas, além de um pré-tratamento térmico, para que as taxas de crescimento sejam ajustadas de uma maneira mais eficiente. Com as estruturas desenvolvidas, as amostras devem ser analisadas e caracterizadas. Para isso, foram utilizados equipamentos instalados no Departamento de Física da UFV. A técnica de difração de raios-X permite observar o crescimento do material (CdTe) no substrato. O perfilômetro permite determinar a espessura dos filmes crescidos, o que possibilita determinar a taxa de crescimento em que os materiais serão depositados utilizando o MBE. A partir das técnicas citadas, pode-se observar a influência que os parâmetros de crescimento possuem acerca da qualidade cristalina das amostras. A partir da difração de raios-X, é possível construir mapas no espaço recíproco em torno da região de reflexão da amostra, o que permite investigar também a qualidade das amostras. Com a construção destes mapas, pode-se observar os diferentes efeitos, tanto da temperatura aplicada durante o crescimento quanto da espessura dos filmes epitaxiais crescidos. |
| Palavras-chave | MBE, CdMnTe, Semicondutor magnético diluído |
| Forma de apresentação..... | Painel |
| Link para apresentação | Painel |
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