“Bicentenário da Independência: 200 anos de ciência, tecnologia e inovação no Brasil e 96 anos de contribuição da UFV”.
8 a 10 de novembro de 2022
Trabalho 17219
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Física da Matéria Condensada |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | PIBIC/CNPq |
| Conclusão de bolsa | Não |
| Apoio financeiro | CNPq |
| Primeiro autor | Hudson Alfredo Cardoso Silva |
| Orientador | LEONARDE DO NASCIMENTO RODRIGUES |
| Título | Caracterização de filmes finos de semicondutores baseados em Cd1-xMnxTe via epitaxia por feixe molecular |
| Resumo | O trabalho vigente tem como principal foco a análise de uma classe de heteroestruturas conhecidas como semicondutores magnéticos diluídos (SMD), o qual são materiais que apresentam simultaneamente propriedade semicondutora e ferromagnetismo. O Telureto de Cádmio (CdTe), que está sendo investigado, possui aplicação em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos como detectores de raios gama, isoladores ópticos, lasers e células solares. Objetiva-se o crescimento de amostras pela técnica de Epitaxia por Feixe molecular (Molecular-beam epitaxy - MBE) de Telureto de Cádmio (CdTe) sobre substrato de Arseneto de Gálio (GaAs). Após a realização do crescimento de várias amostras, técnicas de caracterização serão aplicadas nos materiais gerados no MBE. As estruturas são produzidas no MBE, onde o substrato GaAs recebe um tratamento térmico realizado antes do crescimento visando a retirada de possíveis óxidos presentes na superfície. Logo em sequida, as amostras são levadas para análise de espessura como a perfilometria e difração de raios – X. O microscópio de força atômica “atomic force microscope” – AFM, é um instrumento de caracterização de propriedades físicas que também é usado e produz informações importantes sobre as amostras. Visou-se iniciar e compreender como é o crescimento de CdTe sobre substratos de GaAs. O trabalho permitiu adquirir experiência em diversas técnicas experimentais que estão disponíveis nas instalações do Departamento de Física da UFV assim como um estudo introdutório sobre propriedades das amostras de filmes finos de CdTe. Por meio das técnicas de difração de raios–X e da perfilometria foi possível verificar a orientação e espessura, respectivamente, do CdTe sobre os substratos de GaAs. O uso do microscópio de força atômica como uma ferramenta analítica possui uma ampla capacidade que envolve análise morfológica e estrutural de materiais, o que nos permitiu gerar dados relevantes das amostras, sendo possível analisar com grande nitidez de detalhes os afeitos que as diversas variações na configuração de crescimento do MBE causam na superfície, como rugosidade e espessura. |
| Palavras-chave | semicondutorres magnéticos diluídos, Epitaxia por feixe molecular, MBE |
| Forma de apresentação..... | Painel |
| Link para apresentação | Painel |
|---|