Bioeconomia: Diversidade e Riqueza para o Desenvolvimento Sustentável
21 a 25 de outubro de 2019
Trabalho 11708
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Ciências Exatas e da Terra |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | CNPq |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | CNPq |
| Primeiro autor | Maria Vitoria Tiago Inocencio |
| Orientador | SUKARNO OLAVO FERREIRA |
| Título | Crescimento e caracterização de fimes finos de CdMnTe e um poço quântico CdTe/CdMnTe |
| Resumo | O composto semicondutor CdMnTe se destaca com suas propriedades optoeletrônicas, que proporcionam sua utilização como células solares, detectores de raios-X e outros dispositivos. O crescimento de filmes finos e heteroestruturas de CdTe e CdMnTe pode ser obtido por meio da técnica de epitaxia por feixes moleculares (MBE), onde é possível controlar a espessura, composição e a qualidade da amostra. Manipulando a temperatura de evaporação, temperatura de deposição do substrato e o tempo de duração do processo é possível controlar os aspectos físicos dos filmes finos. Este trabalho descreve o crescimento de filmes finos de CdMnTe e sua caracterização por perfilometria óptica, difração de raios-x de alta resolução, microscopia de força atômica e fotoluminescência, que convertem informações sobre características químicas e/ou físicas de uma amostra em dados que são posteriormente manipulados. E a fabricação de um poço quântico de CdTe/CdMnTe diretamente sobre um substrato de silício(111) e sua caracterização óptica. As amostras foram fabricadas usando um sistema MBE caseiro com células de efusão de CdTe e Mn, que pode ser encontrado no laboratório de multiusuário do Departamento de Física da UFV. As temperaturas de crescimento de cada fonte foram ajustadas para controlar uma taxa de crescimento de aproximadamente 0,07 nm/s. No caso do poço quântico, foi utilizada uma concentração de 11% de Mn na barreira e o tempo de crescimento foi controlado para produzir um poço de CdTe de 20 nm entre barreiras de CdMnTe de 120 nm de espessura. Esta amostra foi caracterizada por micro-fotoluminescência em T = 15k. Utilizou-se um laser de estado sólido com λ = 532 nm e potência entre 0,01-1 μW por meio da configuração do microscópio com uma lente objetiva de 50x e distância de trabalho longa. Apesar de uma diferença de parâmetro de rede de quase 19% entre a heteroestrutura e o substrato Si, a amostra estudada apresentou um sinal de fotoluminescência muito intenso. Agradecemos às agências de fomento CNPq, CAPES e FAPEMIG pelo apoio financeiro. |
| Palavras-chave | Caracterização, CdMnTe, filmes |
| Forma de apresentação..... | Painel |