Bioeconomia: Diversidade e Riqueza para o Desenvolvimento Sustentável
21 a 25 de outubro de 2019
Trabalho 11605
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Ciências Exatas e da Terra |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | CNPq |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | CNPq |
| Primeiro autor | Matheus Almeida de Souza |
| Orientador | EDUARDO NERY DUARTE DE ARAUJO |
| Título | Caracterização elétrica de efeitos térmicos e mudanças fotoinduzidas em dispositivos de Telureto de Cádmio |
| Resumo | Matheus Almeida de Souza Universidade Federal de Viçosa (UFV) Resumo: O telureto de cádmio (CdTe) é um semicondutor que apresenta propriedades únicas como um alto coeficiente de absorção óptico na região do espectro visível, um gap de energia direto e sua estrutura cristalina que o qualificam como um bom semicondutor para aplicações em optoeletrônica. O CdTe é usado como elemento de sensor em detectores de raios gama, dispositivos de modulação eletro-óptica e células fotovoltaicas. Além de ser um bom semicondutor para essas aplicações, o CdTe tem um baixo custo de produção, sendo de grande interesse seu estudo para fabricação de dispositivos optoeletrônicos. Assim estamos fabricando dispositivos de filmes finos de CdTe, por meio de litografia óptica, que resulta em dispositivos de dimensão na ordem de micrômetros. O CdTe usado no presente trabalho foi sintetizado a partir da técnica epitaxia por paredes quentes sobre substrato de vidro. O telúrio em seu estado amorfo tem uma estrutura flexível, facilmente afetadas por fatores externos, como luz, calor e pressão. A incidência de luz no CdTe pode dar origem a novos estados estáveis ou metaestáveis, reversível ou irreversível, estados que podem ser ativados levando a cristalizar da rede do CdTe. É conhecido da literatura que a incidência de luz é capaz de promover modificações permanentes na superfície do CdTe. Mas há questionamentos se essas mudanças são consequências de um efeito térmico ou puramente fotoinduzido. Para caracterizar as mudanças no material usamos a espectroscopia Raman bem como um sistema de medidas de elétricas para amostras resistivas. Para investigar os efeitos térmicos no transporte elétrico do CdTe, foram feitas medidas elétricas nos dispositivos sob aquecimento de um resistor. As mudanças fotoinduzidas foram feitas simultaneamente com as medidas elétricas, sob a exposição de laser de comprimento de onda 532 nm. O sistema de medidas elétricas consiste da utilização de um sinal elétrico alternado, na forma de uma onda quadrada, um sinal forçado que opera com transições cíclicas da tensão para um dado período de tempo. A utilização do sinal de onda quadrada foi usado devido a alta resistividade elétrica das amostras estudadas. Referências 1. RIBEIRO, Igor Renato Bueno,Estudos da rugosidade de filmes finos de telureto de cádmio crescidos por epitaxia de paredes quentes .Viçosa, Minas Gerais, 2008. 2. Maia, Paulo Victor Sciammarella; “ Efeitos fotoinduzidos em filmes de CdTe sob medidas micro Raman. Viçosa, Minas Gerais, 2016. 3. Keiji Tanaka, Photoinduced structural changes in amorphous semiconductors, Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, Hokkaido University, Sapporo 060, Japan, 1998. |
| Palavras-chave | CdTe, Fotocristalização, Annealing |
| Forma de apresentação..... | Painel |