Ciência para a Redução das Desigualdades
15 a 20 de outubro de 2018
Trabalho 10030
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Ciências Exatas e da Terra |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | PIBIC/CNPq |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | CNPq |
| Primeiro autor | Matheus Almeida de Souza |
| Orientador | EDUARDO NERY DUARTE DE ARAUJO |
| Outros membros | LUCIANO DE MOURA GUIMARAES, SUKARNO OLAVO FERREIRA |
| Título | Transporte elétrico em dispositivos de telureto de cádmio modificados por luz |
| Resumo | Matheus Almeida de Souza Universidade Federal de Viçosa (UFV) Resumo: O telureto de cádmio (CdTe) apresenta um gap de energia direto de 1,5 eV e um alto coeficiente de absorção óptico na região que vai do infravermelho próximo e compreende todo o espectro da luz visível. Essas propriedades o qualificam como um bom semicondutor para aplicações em optoeletrônica. O CdTe pode ser crescido a partir de técnicas epitaxia sobre um substrato com parâmetro de rede adequado, onde o processo ocorre com um paralelismo entre planos atômicos, envolvendo fenômenos como transporte de massa, fluxo molecular e efeitos cinéticos. O CdTe apresenta um caráter anfótero podendo ser dopado por desvios estequiométricos durante o crescimento. Por exemplo, um excesso de cádmio promove uma dopagem do tipo p, enquanto que uma dopagem do tipo n pode ser obtida com um excesso de telúrio. É conhecido que a dopagem influencia diretamente na condutividade do material. O CdTe é usado como elemento sensor em dispositivos optoeletrônico, como detectores de raios gama, dispositivos de modulação eletro-óptica e células fotovoltaicas. Além de possuir propriedades importantes para absorção da luz, o CdTe tem um baixo custo de produção, de forma que há um grande interesse em estudar suas propriedades para aplicações em dispositivos optoeletrônicos. É conhecido da literatura que a incidência de luz visível de baixa potência é capaz de promover modificações na superfície do CdTe, que alteram de forma permanente a sua resistividade. Porém, uma descrição completa desse fenômeno ainda é um problema em aberto. Nesse contexto, estamos fabricando dispositivos a partir de filmes finos de CdTe usando litografia óptica. Para investigar as propriedades ópticas e de transporte elétrico do CdTe modificado por fotoindução, nós desenvolvemos um sistema de medidas simultâneas para realizar caracterizações elétrica e de espectroscopia Raman nos dispositivos. Referências 1. RIBEIRO, Igor Renato Bueno,Estudos da rugosidade de filmes finos de telureto de cádmio crescidos por epitaxia de paredes quentes .Viçosa, Minas Gerais, 2008. 2. Maia, Paulo Victor Sciammarella; “ Efeitos fotoinduzidos em filmes de CdTe sob medidas micro Raman. Viçosa, Minas Gerais, 2016. |
| Palavras-chave | CdTe, Fotoindução, Dispositivos |
| Forma de apresentação..... | Painel |