Resumo |
Até alguns anos atrás, toda informação utilizada em dispositivos eletrônicos era baseada nas cargas elétricas e nos efeitos relacionados ao seu movimento. Porém com o desenvolvimento do estudo das válvulas de spin, foi possível utilizar os spins para transportar bits de informações. Esta nova categoria de dispositivos é promissora por estes serem menores, mais velozes, além de consumirem menos energia que os convencionais. Neste projeto, foi estudada a magnetorresistência em uma válvula de spin de Ni/Cu/Ni/NiO. Para isso, foram formadas quatro amostras com camadas de Ni (8nm) /Cu (4nm) /Ni (24nm) em substrato de silício (100). Estas foram crescidas pelo método da evaporação térmica, que consiste em evaporar os materiais, dentro de uma câmara de vácuo, sendo estes aquecidos por meio de efeito joule. Depois, as amostras foram submetidas a um tratamento térmico na presença de oxigênio da própria atmosfera, com o objetivo de formar o antiferromagneto óxido de níquel, que atua fixando a magnetização do ferromagneto acoplado a ele, provocando o exchange bias e facilitando o controle da magnetização individual das camadas ferromagnéticas, por meio de um campo magnético externo aplicado. Estas foram aquecidas com uma taxa de 2°C por minuto, mantidas a uma temperatura máxima durante 3 horas, e resfriadas a 2,5°C por minuto, com a finalidade de não causar choque térmico. As quatro amostras foram submetidas a uma temperatura máxima de 400°C, 500°C, 600°C e 700°C com o intuito de verificar o grau de oxidação do níquel em cada amostra. O tratamento demonstrou-se eficiente na formação do óxido de níquel, porém não foi possível determinar a espessura da parte oxidada. Após realizar o tratamento térmico, as amostras foram submetidas a medidas magnéticas e magnetorresistivas para a verificação da formação de óxido de níquel e a atuação da camada como antiferromagneto. Neste trabalho serão apresentadas as influências das camadas antiferromagnéticas obtidas com diferentes tempos de oxidação no exchange bias presente nas medidas de histerese magnéticas e magnetorresistência. |