Do Lógico ao Abstrato: A Ciência no Cotidiano
23 a 28 de outubro de 2017
Trabalho 8263
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Física |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | FAPEMIG |
| Conclusão de bolsa | Não |
| Apoio financeiro | FAPEMIG |
| Primeiro autor | Gustavo Henrique da Silva |
| Orientador | SUKARNO OLAVO FERREIRA |
| Título | Caracterização ótica em baixas temperaturas de filmes finos de CdTe e CdMnTe |
| Resumo | O CdTe e o CdMnTe são dois semicondutores com propriedades de grande interesse para a indústria eletrônica, energética e óptica. As aplicações em painéis solares, por exemplo, são de grande importância como via alternativa para a obtenção de energia limpa. Logo, os processos de obtenção e os estudos sobre a qualidade e características de nanoestruturas baseadas nestes semicondutores têm sido alvo de muitas pesquisas. Assim sendo, os objetivos deste trabalho são a produção de filmes finos de CdTe e CdMnTe utilizando a técnica de Epitaxia por Feixe Molecular (MolecularBeamEpitaxy-MBE) e o desenvolvimento de um sistema de caracterização óptica a baixas temperaturas. O processo de crescimento das amostras de CdTe e CdMnTe foi feito por evaporação de fontes sólidas de CdTe e Mn sobre substratos de vidro em condição de ultra-alto vácuo. O sistema de crescimento utilizado foi construído no departamento de física da UFV e possui uma câmara de crescimento, mantida a uma pressão de 3 x 10-8 Torr e uma segunda câmara, utilizada para a introdução das amostras, que atinge uma pressão de 4 x 10-6 Torr. O ambiente de ultra-alto vácuo tem a função de permitir a formação de um feixe molecular e impedir que impurezas sejam depositadas durante o crescimento das camadas epitaxiais. Durante o crescimento, é possível variar a temperatura do substrato e da fonte de CdTe dentro da faixa de interesse. Uma forma de estudar os efeitos da variação dos parâmetros de crescimento é através da técnica de espectroscopia óptica, que permite a análise dos espectros de absorção, emissão e reflexão de luz pela amostra. Para isso está sendo desenvolvido um criostato que permite aplicar a técnica de espectroscopia em função da temperatura. O criostato mantém a amostra em vácuo na ordem de 10-6 Torr e possui um sistema de resfriamento por nitrogênio líquido que permite realizar medidas óticas em temperaturas entre 80k e 300K. Serão mostrados os resultados dos testes iniciais do criostato e de medidas de absorção em filmes com diferentes espessuras em baixas temperaturas. |
| Palavras-chave | filmes semicondutores, CdTe, espectroscopia |
| Forma de apresentação..... | Painel |