Conexão de Saberes e Mundialização
19 a 24 de outubro de 2015
Trabalho 4172
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Ciência dos materiais |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | FAPEMIG |
| Conclusão de bolsa | Não |
| Apoio financeiro | FAPEMIG |
| Primeiro autor | Thamires Cordeiro Soares |
| Orientador | LUCIANO DE MOURA GUIMARAES |
| Outros membros | RENÊ CHAGAS DA SILVA, SUKARNO OLAVO FERREIRA, Wilder Rodrigues Cardoso |
| Título | Estudos comparativos a partir de espectroscopia Raman e microscopia eletrônica de filmes de telureto de cádmio obtidos por eletrodeposição e por epitaxia de paredes quentes |
| Resumo | Pesquisas feitas com telureto de cádmio (CdTe) são de grande interesse tecnológico e social devido às suas propriedades físicas e aplicabilidades. O CdTe é um semicondutor de gap direto de aproximadamente 1,5 eV, o que indica que está próximo ao infravermelho no espectro eletromagnético, tal característica, associada ao seu elevado coeficiente de absorção, o faz ser apropriado para utilização em células fotovoltaicas e em sensores de radiação. Em nosso trabalho, utilizamos as técnicas de eletrodeposição e epitaxia de paredes quentes (Hot Wall Epitaxy) para fabricação de filmes finos de CdTe sobre substrato de silício do tipo n com duas orientações cristalográficas diferentes: (111) e (100). Este trabalho tem como objetivo contrastar as propriedades físicas dos filmes de CdTe obtidos por meio dessas diferentes técnicas de deposição. Na técnica de eletrodeposição, os filmes são sintetizados sobre um eletrodo de silício mergulhado numa solução aquosa contendo 0,01 M de CdCl2 e 0,005 M de TeO2 com pH variando entre 1 e 2 e temperatura ambiente. Um potencial elétrico é aplicado por meio de um potenciostato ao eletrodo de silício e controlado por intermédio de um eletrodo de referência de calomelano. A deposição do filme de CdTe ocorre quando o potencial elétrico do eletrodo é ajustado para um valor apropriado, enquanto que na técnica de epitaxia de paredes quentes, o substrato de silício é mantido numa câmara evacuada sobre uma fonte de vapor de telureto de cádmio a 500°C. A condensação do vapor sobre o silício é controlada pela temperatura do substrato, que pode variar entre 105 e 350°C. Contrariamente à técnica de epitaxia, na eletrodeposição podemos controlar a estequiometria do filme fabricado por meio de ajustes no eletrólito ou pela escolha do potencial de deposição. No entanto, os filmes produzidos por epitaxia de paredes quentes são mais cristalinos e apresentam uma distribuição mais uniforme. Para caracterizar os filmes foram feitas análises por espectroscopia Raman, microscopia óptica, microscopia eletrônica e microscopia de força atômica. |
| Palavras-chave | CdTe, Raman, Eletrodeposição |
| Forma de apresentação..... | Painel |