Ciência e Tecnologia: bases para o Desenvolvimento Social
20 a 25 de outubro de 2014
Trabalho 2222
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Física teórica, experimental e de simulação |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | PIBIC/CNPq |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | CNPq |
| Primeiro autor | Gabriel Vinícius de Oliveira Silva |
| Orientador | CLODOALDO IRINEU LEVARTOSKI DE ARAUJO |
| Título | Microfabricação de Transistores de Junção Túnel Magnético e Estudo de Transporte de Spin. |
| Resumo | Os avanços tecnológicos no campo da ciência estão exigindo atmosferas apropriadas para o desenvolvimento de sofisticados processos de fabricação, montagem e manutenção nas áreas de engenharia eletrônica. Delicados mecanismos que necessitam de tolerâncias muito pequenas à impurezas estão sendo fabricados e a eliminação de contaminações torna-se um fator importante para a prevenção de futuros defeitos e imprecisões em ordem de grandezas extremamente pequenas. Essa atmosfera que atende as exigências dos processos é obtida nas chamadas Salas Limpas onde é dada uma ênfase especial ao controle da poeira e partículas micrométricas. Nesses ambientes são realizados vários processos para a fabricação dos dispositivos eletrônicos, os mesmos apresentam vantagens como Layout simples das linhas de produção e construção/operação econômicas e desvantagens como, quantidade limitada de pessoas trabalhando na sala, necessidade de um serviço frequente de limpeza, devido à baixa capacidade de autolimpeza. Dentre as possibilidades de construção de dispositivos nestas salas destacamos o Transistor de base metálica. Transistores de base metálica (TBM’s) são um tipo especial de dispositivo idealizado e desenvolvido no início da década de 60, que possui potencial interesse em aplicação nos atuais dispositivos spintrônicos. São dispositivos constituídos por três camadas, sendo uma camada metálica ultrafina (base) ensanduichadas entre duas camadas semicondutoras (emissor e coletor). Esse tipo de dispositivo foi proposto e fabricado em 1962 por Atalla, Kahng e Geppert. Nos TBMs existem duas barreiras Schottky, uma na junção base-emissor e outra na junção base-coletor, por essas características esses dispositivos são conhecidos como dispositivos de alta frequência, e a fundamental limitação desses dispositivos são os baixos valores de ganho de corrente, consequência de efeitos como, espalhamentos na base, reflexão de origem quanto-mecânica das cargas na junção base-coletor e a interação com fônos no coletor. Para construção desses dispositivos, uma camada metálica ultrafina da ordem de 10 nm é depositada em vácuo sobre o silício (material semicondutor), existem várias técnicas para o crescimento dessa camada metálica, posteriormente outro semicondutor é crescido epitaxialmente sobre o metal para finalização do dispositivo. Tanto as etapas de adequação da sala limpa quanto o projeto estrutural dos dispositivos e crescimento das camadas já foram realizados durante o ano de realização deste projeto. Como perspectivas futuras serão realizadas as caracterizações elétricas e magnéticas dos dispositivos. |
| Palavras-chave | Transistores, microfabricação, sala limpa |
| Forma de apresentação..... | Painel |