Ciência e Tecnologia: bases para o Desenvolvimento Social
20 a 25 de outubro de 2014
Trabalho 2113
| ISSN | 2237-9045 |
|---|---|
| Instituição | Universidade Federal de Viçosa |
| Nível | Graduação |
| Modalidade | Pesquisa |
| Área de conhecimento | Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Área temática | Física teórica, experimental e de simulação |
| Setor | Departamento de Física |
| Bolsa | PIBITI/CNPq |
| Conclusão de bolsa | Sim |
| Apoio financeiro | CNPq |
| Primeiro autor | Rafael Venâncio Cacilhas |
| Orientador | CLODOALDO IRINEU LEVARTOSKI DE ARAUJO |
| Título | Microfabricação de junções túnel coerentes e de dispositivo lógico transistor SpinFET |
| Resumo | A crescente demanda pelo aumento do desempenho e diminuição das dimensões dos equipamentos eletrônicos requer o desenvolvimento de dispositivos com alta sensibilidade e novas técnicas para a miniaturização dos equipamentos. Esta tendência torna a spintrônica uma linha de pesquisa amplamente investigada, pois esta possui uma vantagem teórica fundamental sobre a eletrônica convencional: enquanto a eletrônica se baseia na identificação de sinais pela presença ou não de correntes elétricas, traduzindo-os para sinais binários (0 e 1), a spintrônica, além desse mesmo sinal, também pode se utilizar de correntes polarizadas em spin, com um potencial de produção de sinais maior do que o dos dispositivos eletrônicos. O objetivo deste trabalho é desenvolver um transistor spintrônico utilizando processos de microeletrônica e nanolitografia por feixe de elétrons para fabricação de junções túnel coerentes e caracterizar os dispositivos utilizando medidas magnetorresistivas e magnéticas nos dispositivos. O dispositivo começou a ser feito com a deposição por spin coating de um fotorresiste em cima de uma placa de silício e a marcação deste utilizando uma máscara e a alinhadora de mascaras, que sensibiliza o fotorresiste com luz ultravioleta. A seguir, foi utilizado um removedor para retirar o fotorresiste que não foi sensibilizado previamente. Com o fotorresiste sobre as regiões desejadas da amostra, esta foi colocada em uma evaporadora e foi evaporado níquel sobre a amostra. A seguir, foi removido o fotorresiste restante, fazendo com que o níquel ficasse apenas sobre as partes não sensibilizadas da amostra. Com a estrutura montada, foram realizadas algumas verificações para ver a qualidade desta. Utilizando um Perfilômetro, medimos a altura do níquel depositado e a sua uniformidade pela amostra. Utilizando um microscópio de Força Atômica (AFM) e de Força Magnética (MFM) foi verificado a qualidade das estruturas presentes na amostra. O passo seguinte é montar os contatos necessários para realizar as medidas de magnetorresistencia da amostra, através da passagem de uma corrente spin polarizada. Utilizamos os mesmos processos da montagem da estrutura para montar os contatos, mas utilizando ouro no lugar do níquel. |
| Palavras-chave | Transistor, spintrônica, eletrodeposição |
| Forma de apresentação..... | Painel |